На основании данных литературы показано, что низкоинтенсивное лазерное излучение (НЛИ) способно изменять свойства возбудимости нейрональной мембраны, модулировать порог генерирования потенциала действия. Показано, что под влиянием НЛИ отмечается компенсация метаболических и нейрофизиологических изменений со стороны головного мозга, нарушенных в результате развития эпилептического синдрома. Сделан вывод о перспективности применения НЛИ в качестве лечебного фактора при резистентных к лечению формах эпилепсии.